Hersteller Produktnummer:
SIHA180N60E-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHA180N60E-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 19A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventar:
12785982
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Menge
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SIHA180N60E-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1085 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220 Full Pack
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
SIHA180
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SIHA180N60E-GE3DKR
SIHA180N60E-GE3TR
SIHA180N60E-GE3CT-DG
SIHA180N60E-GE3DKR-DG
SIHA180N60E-GE3TR-DG
SIHA180N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHA180N60E-GE3CT
SIHA180N60E-GE3CTINACTIVE
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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