SI9933CDY-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI9933CDY-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI9933CDY-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

26680 Stück Neu Original Auf Lager
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SI9933CDY-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
58mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
665pF @ 10V
Leistung - Max
3.1W
Betriebstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
SI9933

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI9933CDY-T1-GE3TR
SI9933CDYT1GE3
SI9933CDY-T1-GE3DKR
SI9933CDY-T1-GE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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