Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SIZ900DT-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIZ900DT-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 24A 6PWRPAIR
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12786736
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SIZ900DT-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A, 28A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1830pF @ 15V
Leistung - Max
48W, 100W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-PowerPair™
Gerätepaket für Lieferanten
6-PowerPair™
Basis-Produktnummer
SIZ900
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SIZ900DT-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SIZ900DT-T1-GE3-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIZ900DT-T1-GE3DKR
SIZ900DTT1GE3
SIZ900DT-T1-GE3CT
SIZ900DT-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDMS7602S
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1180
TEILNUMMER
FDMS7602S-DG
Einheitspreis
0.53
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FDMS3604S
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
FDMS3604S-DG
Einheitspreis
0.50
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STL66DN3LLH5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
STL66DN3LLH5-DG
Einheitspreis
0.81
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
SIZ710DT-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
16612
TEILNUMMER
SIZ710DT-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.51
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SIS932EDN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
SQS966ENW-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
SIA511DJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
SIZ340DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33