Hersteller Produktnummer:
SI7888DP-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI7888DP-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 9.4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12959873
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Menge
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SI7888DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 12.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SI7888
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
CSD17327Q5A
HERSTELLER
Texas Instruments
VERFÜGBARE ANZAHL
2500
TEILNUMMER
CSD17327Q5A-DG
Einheitspreis
0.33
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RS1E130GNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1178
TEILNUMMER
RS1E130GNTB-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
SIR172ADP-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
2689
TEILNUMMER
SIR172ADP-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.13
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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