SI4840BDY-T1-E3
Hersteller Produktnummer:

SI4840BDY-T1-E3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI4840BDY-T1-E3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 19A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

40813 Stück Neu Original Auf Lager
12959903
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SI4840BDY-T1-E3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 12.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2000 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
SI4840

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI4840BDY-T1-E3DKR
SI4840BDYT1E3
SI4840BDY-T1-E3-DG
SI4840BDY-T1-E3TR
SI4840BDY-T1-E3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SIA444DJT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

IRFR9110TR

MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK

vishay-siliconix

IRFPG50PBF

MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3

vishay-siliconix

SI2327DS-T1-E3

MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3