SQD50P03-07_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQD50P03-07_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQD50P03-07_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

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SQD50P03-07_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5490 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
SQD50

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SQD50P03-07_GE3
HTML-Datenblatt
SQD50P03-07_GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
SQD50P03-07_GE3-DG
SQD50P03-07_GE3TR
SQD50P03-07_GE3CT
SQD50P03-07_GE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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