Hersteller Produktnummer:
SI7852DP-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI7852DP-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 7.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
2134 Stück Neu Original Auf Lager
12917049
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SI7852DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.9W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SI7852
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI7852DP-T1-GE3DKR
SI7852DP-T1-GE3CT
SI7852DP-T1-GE3-DG
SI7852DP-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH info available upon request
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RS6N120BHTB1
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1763
TEILNUMMER
RS6N120BHTB1-DG
Einheitspreis
1.14
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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