Hersteller Produktnummer:
SI7806ADN-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI7806ADN-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
12916162
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SI7806ADN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8
Basis-Produktnummer
SI7806
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
CSD17579Q3A
HERSTELLER
Texas Instruments
VERFÜGBARE ANZAHL
41250
TEILNUMMER
CSD17579Q3A-DG
Einheitspreis
0.15
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
NTTFS4C13NTAG
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1349
TEILNUMMER
NTTFS4C13NTAG-DG
Einheitspreis
0.34
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
CSD17579Q3AT
HERSTELLER
Texas Instruments
VERFÜGBARE ANZAHL
5016
TEILNUMMER
CSD17579Q3AT-DG
Einheitspreis
0.44
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ3E120BNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2880
TEILNUMMER
RQ3E120BNTB-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ3E100BNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
95904
TEILNUMMER
RQ3E100BNTB-DG
Einheitspreis
0.11
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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