Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
DR Kongo
Argentinien
Turkei
Rumänien
Litauen
Norwegen
Österreich
Angola
Slowakei
ltaly
Finnland
Belarus
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisch
Belgien
Schweden
Serbien
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Republik Moldau
Deutschland
Niederlande
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankreich
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Portugal
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SI7230DN-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI7230DN-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12911763
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SI7230DN-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8
Basis-Produktnummer
SI7230
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SI7230DN-T1-E3
HTML-Datenblatt
SI7230DN-T1-E3-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI7230DN-T1-E3DKR
SI7230DN-T1-E3TR
SI7230DN-T1-E3-DG
SI7230DN-T1-E3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RQ3E120ATTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
21620
TEILNUMMER
RQ3E120ATTB-DG
Einheitspreis
0.23
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ3E100MNTB1
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
5261
TEILNUMMER
RQ3E100MNTB1-DG
Einheitspreis
0.40
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ1E070RPTR
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
7064
TEILNUMMER
RQ1E070RPTR-DG
Einheitspreis
0.41
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ3E120BNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2880
TEILNUMMER
RQ3E120BNTB-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ3E080BNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
40431
TEILNUMMER
RQ3E080BNTB-DG
Einheitspreis
0.10
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFB9N60APBF
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
IRFI9640GPBF
MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
IRFI830G
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3