Hersteller Produktnummer:
IRFI830G
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRFI830G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12911777
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Menge
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IRFI830G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
610 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
IRFI830
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
Q932707
*IRFI830G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK5A50D(STA4,Q,M)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
34
TEILNUMMER
TK5A50D(STA4,Q,M)-DG
Einheitspreis
0.42
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
TK5A55D(STA4,Q,M)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
47
TEILNUMMER
TK5A55D(STA4,Q,M)-DG
Einheitspreis
0.47
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRFI830GPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
795
TEILNUMMER
IRFI830GPBF-DG
Einheitspreis
0.67
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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