Hersteller Produktnummer:
SI6562DQ-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI6562DQ-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 1W Surface Mount 8-TSSOP
Inventar:
12919513
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SI6562DQ-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
600mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
1W
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSSOP
Basis-Produktnummer
SI6562
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI6562DQ-T1-GE3DKR
Q9020319
SI6562DQ-T1-GE3CT
SI6562DQ-T1-GE3TR
SI6562DQT1GE3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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