Hersteller Produktnummer:
SIZ350DT-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIZ350DT-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 18.5A (Ta), 30A (Tc) 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Inventar:
7529 Stück Neu Original Auf Lager
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SIZ350DT-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen IV
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.75mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
940pF @ 15V
Leistung - Max
3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Gerätepaket für Lieferanten
8-Power33 (3x3)
Basis-Produktnummer
SIZ350
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIZ350DT-T1-GE3TR
742-SIZ350DT-T1-GE3TR
SIZ350DT-T1-GE3DKR-DG
742-SIZ350DT-T1-GE3DKR
SIZ350DT-T1-GE3CT-DG
SIZ350DT-GE3
SIZ350DT-T1-GE3TR-DG
SIZ350DT-T1-GE3CT
742-SIZ350DT-T1-GE3CT
SIZ350DT-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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