Hersteller Produktnummer:
SI6463BDQ-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI6463BDQ-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 6.2A (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventar:
12915779
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Menge
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SI6463BDQ-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 7.4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
800mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 5 V
FET-Funktion
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSSOP
Paket / Koffer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Basis-Produktnummer
SI6463
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI6463BDQT1E3
SI6463BDQ-T1-E3TR
Q9256259
SI6463BDQ-T1-E3DKR
SI6463BDQ-T1-E3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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