Hersteller Produktnummer:
SI5511DC-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI5511DC-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.6A 1206-8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventar:
12913085
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SI5511DC-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A, 3.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.1nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
435pF @ 15V
Leistung - Max
3.1W, 2.6W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
1206-8 ChipFET™
Basis-Produktnummer
SI5511
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI5511DC-T1-E3TR
SI5511DC-T1-E3CT
SI5511DCT1E3
SI5511DC-T1-E3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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