Hersteller Produktnummer:
SI5920DC-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI5920DC-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventar:
12913104
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SI5920DC-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
8V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 6.8A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
680pF @ 4V
Leistung - Max
3.12W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
1206-8 ChipFET™
Basis-Produktnummer
SI5920
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI5920DCT1GE3
SI5920DC-T1-GE3DKR
SI5920DC-T1-GE3CT
SI5920DC-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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