Hersteller Produktnummer:
SI5485DU-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI5485DU-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Inventar:
12914056
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SI5485DU-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 5.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1100 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® ChipFET™ Single
Paket / Koffer
PowerPAK® ChipFET™ Single
Basis-Produktnummer
SI5485
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI5485DU-T1-E3DKR
SI5485DU-T1-E3CT
SI5485DUT1E3
SI5485DU-T1-E3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFS9N60ATRRPBF
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
IRFP440PBF
MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3
IXTH110N25T
MOSFET N-CH 250V 110A TO247
