Hersteller Produktnummer:
SI1012X-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI1012X-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 500mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Inventar:
10778 Stück Neu Original Auf Lager
12914067
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SI1012X-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±6V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-89-3
Paket / Koffer
SC-89, SOT-490
Basis-Produktnummer
SI1012
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI1012XT1GE3
SI1012X-T1-GE3TR
SI1012X-T1-GE3CT
SI1012X-T1-GE3DKR
SI1012X-T1-GE3-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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