Hersteller Produktnummer:
SIE726DF-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIE726DF-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Inventar:
12920215
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SIE726DF-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
SkyFET®, TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7400 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
10-PolarPAK® (L)
Paket / Koffer
10-PolarPAK® (L)
Basis-Produktnummer
SIE726
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIE726DF-T1-GE3-DG
SIE726DFT1GE3
SIE726DF-T1-GE3TR
SIE726DF-T1-GE3CT
SIE726DF-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIRA02DP-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
7498
TEILNUMMER
SIRA02DP-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.67
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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