Hersteller Produktnummer:
SI5406CDC-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI5406CDC-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 12 V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventar:
12965588
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SI5406CDC-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1100 pF @ 6 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
1206-8 ChipFET™
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Basis-Produktnummer
SI5406
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI5406CDC-T1-GE3DKR
SI5406CDC-T1-GE3CT
SI5406CDC-T1-GE3TR
SI5406CDCT1GE3
SI5406CDC-T1-GE3TR-N
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI5418DU-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1882
TEILNUMMER
SI5418DU-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.45
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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