Hersteller Produktnummer:
SI4967DY-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4967DY-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 12V 2W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12919912
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Menge
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SI4967DY-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 7.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
450mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
SI4967
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI9933CDY-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
26680
TEILNUMMER
SI9933CDY-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.18
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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