Hersteller Produktnummer:
SI4931DY-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4931DY-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12803 Stück Neu Original Auf Lager
12914595
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SI4931DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 350µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
1.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
SI4931
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI4931DYT1GE3
SI4931DY-T1-GE3CT
SI4931DY-T1-GE3TR
SI4931DY-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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