SI6993DQ-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI6993DQ-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI6993DQ-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 3.6A 830mW Surface Mount 8-TSSOP

Inventar:

12914638
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SI6993DQ-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
830mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSSOP
Basis-Produktnummer
SI6993

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI6993DQ-T1-GE3TR
SI6993DQT1GE3
SI6993DQ-T1-GE3CT
SI6993DQ-T1-GE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SI5975DC-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 3.1A 1206-8

vishay-siliconix

SI1539DL-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 0.54A SC70-6

vishay-siliconix

SI7252DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8

onsemi

NTMD5838NLR2G

MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC