Hersteller Produktnummer:
SIA444DJT-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIA444DJT-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventar:
12959904
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SIA444DJT-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 7.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
560 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-70-6
Basis-Produktnummer
SIA444
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIA444DJT-T1-GE3-DG
SIA444DJT-T1-GE3DKR
SIA444DJT-T1-GE3CT
SIA444DJT-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIA400EDJ-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
151951
TEILNUMMER
SIA400EDJ-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFR9110TR
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
IRFPG50PBF
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3
SI2327DS-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
