Hersteller Produktnummer:
SI4816DY-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4816DY-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7.7A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 5.3A, 7.7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12918013
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SI4816DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
LITTLE FOOT®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.3A, 7.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
1W, 1.25W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
SI4816
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI4816BDY-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SI4816BDY-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.63
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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