Hersteller Produktnummer:
SQJB70EP-T1_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQJB70EP-T1_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 100V 11.3A PPAK SO8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 100V 11.3A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
12918021
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SQJB70EP-T1_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
220pF @ 25V
Leistung - Max
27W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8 Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8 Dual
Basis-Produktnummer
SQJB70
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQJB70EP-T1_GE3CT
SQJB70EP-T1_GE3TR
SQJB70EP-T1_GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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