Hersteller Produktnummer:
SI4599DY-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4599DY-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 40V 6.8A, 5.8A 3W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
8343 Stück Neu Original Auf Lager
12915209
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SI4599DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.8A, 5.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
640pF @ 20V
Leistung - Max
3W, 3.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
SI4599
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI4599DY-T1-GE3CT
SI4599DY-T1-GE3DKR
SI4599DY-T1-GE3TR
SI4599DYT1GE3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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