Hersteller Produktnummer:
SI4462DY-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4462DY-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 1.15A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 1.15A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12912628
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SI4462DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.15A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
SI4462
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI4464DY-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SI4464DY-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.47
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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