SI7485DP-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI7485DP-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI7485DP-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 12.5A (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

12912636
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SI7485DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12.5A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 20A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 5 V
FET-Funktion
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SI7485

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI7485DPT1GE3
SI7485DP-T1-GE3DKR
SI7485DP-T1-GE3TR
SI7485DP-T1-GE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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