Hersteller Produktnummer:
SI4435FDY-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4435FDY-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 12.6A (Tc) 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
24208 Stück Neu Original Auf Lager
12918003
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SI4435FDY-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen III
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1500 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
4.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
SI4435
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI4435FDY-T1-GE3DKR
SI4435FDY-T1-GE3TR
SI4435FDY-T1-GE3CT
SI4435FDY-T1-GE3-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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