Hersteller Produktnummer:
SI4451DY-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4451DY-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 10A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12918010
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SI4451DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.25mOhm @ 14A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
800mV @ 850µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
SI4451
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI4423DY-T1-E3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
3787
TEILNUMMER
SI4423DY-T1-E3-DG
Einheitspreis
1.01
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SI7302DN-T1-E3
MOSFET N-CH 220V 8.4A PPAK1212-8
SUP90142E-GE3
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
SUP85N03-04P-E3
MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
