Hersteller Produktnummer:
SI4056DY-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4056DY-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 11.1A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
4842 Stück Neu Original Auf Lager
12917537
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SI4056DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
900 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
SI4056
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI4056DYT1GE3
SI4056DY-T1-GE3TR
SI4056DY-T1-GE3CT
SI4056DY-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH info available upon request
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BUK6E2R3-40C,127
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
PMT280ENEAX
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
SI2300DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
