Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SI2300DS-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI2300DS-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 3.6A (Tc) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
595 Stück Neu Original Auf Lager
12917550
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
1
v
q
9
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SI2300DS-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
68mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
320 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
SI2300
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SI2300DS-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SI2300DS-T1-GE3-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI2300DS-T1-GE3DKR
SI2300DS-T1-GE3TR
SI2300DST1GE3
SI2300DS-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
ZXMN3B14FTA
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
240982
TEILNUMMER
ZXMN3B14FTA-DG
Einheitspreis
0.19
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
DMN3110S-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
14382
TEILNUMMER
DMN3110S-7-DG
Einheitspreis
0.15
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ5E025TNTL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
8055
TEILNUMMER
RQ5E025TNTL-DG
Einheitspreis
0.14
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RTR025N03TL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
11740
TEILNUMMER
RTR025N03TL-DG
Einheitspreis
0.15
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
DMN3150L-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
219728
TEILNUMMER
DMN3150L-7-DG
Einheitspreis
0.06
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SI4413DDY-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 8SOIC
SI4320DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
SI1071X-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
SQJ416EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8