Hersteller Produktnummer:
SI1902DL-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI1902DL-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6
Inventar:
28220 Stück Neu Original Auf Lager
12964717
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SI1902DL-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
660mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
385mOhm @ 660mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
270mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70-6
Basis-Produktnummer
SI1902
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI1902DL-T1-GE3CT
SI1902DL-T1-GE3DKR
SI1902DLT1GE3
SI1902DL-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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