Hersteller Produktnummer:
SI3445DV-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI3445DV-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 8V 6TSOP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 8 V 5.6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
12920171
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SI3445DV-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
8 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 5.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
SI3445
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI3433CDV-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
9491
TEILNUMMER
SI3433CDV-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.13
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SQD45N05-20L-GE3
MOSFET N-CH 50V 50A TO252
SI7880ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIJA58DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
