SI1308EDL-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI1308EDL-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI1308EDL-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 1.4A (Tc) 400mW (Ta), 500mW (Tc) Surface Mount SC-70-3

Inventar:

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SI1308EDL-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
132mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
105 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
400mW (Ta), 500mW (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70-3
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Basis-Produktnummer
SI1308

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI1308EDL-T1-GE3DKR
SI1308EDL-T1-GE3TR
SI1308EDL-T1-GE3CT
SI1308EDL-T1-GE3-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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