Hersteller Produktnummer:
SIHD3N50D-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHD3N50D-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
2980 Stück Neu Original Auf Lager
12917629
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SIHD3N50D-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
175 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
69W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
SIHD3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIHD3N50DGE3
SIHD3N50D-GE3CT-DG
SIHD3N50D-GE3TR-DG
SIHD3N50D-GE3TR
SIHD3N50D-GE3DKR-DG
SIHD3N50D-GE3CT
SIHD3N50D-GE3TRINACTIVE
SIHD3N50D-GE3DKR
SIHD3N50D-GE3DKRINACTIVE
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK3P50D,RQ(S
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
1899
TEILNUMMER
TK3P50D,RQ(S-DG
Einheitspreis
0.40
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STD3NK50ZT4
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
2443
TEILNUMMER
STD3NK50ZT4-DG
Einheitspreis
0.42
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
AOD3N50
HERSTELLER
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
8729
TEILNUMMER
AOD3N50-DG
Einheitspreis
0.21
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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