SI1016X-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI1016X-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI1016X-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 485mA, 370mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)

Inventar:

21451 Stück Neu Original Auf Lager
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SI1016X-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
485mA, 370mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
250mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SC-89 (SOT-563F)
Basis-Produktnummer
SI1016

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
Si1016X

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI1016X-T1-GE3DKR
SI1016XT1GE3
SI1016X-T1-GE3CT
SI1016X-T1-GE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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