IRLZ24PBF-BE3
Hersteller Produktnummer:

IRLZ24PBF-BE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRLZ24PBF-BE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 17A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

841 Stück Neu Original Auf Lager
12954266
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IRLZ24PBF-BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
870 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRLZ24

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
742-IRLZ24PBF-BE3

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
genesic-semiconductor

G2R1000MT17J

SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7

linear-integrated-systems

SD213DE TO-72 4L

HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO

vishay-siliconix

SI7317DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8

nexperia

PMPB08R4VPX

MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6