Hersteller Produktnummer:
G2R1000MT17J
Product Overview
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Teilenummer:
G2R1000MT17J-DG
Beschreibung:
SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1700 V 3A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventar:
13576 Stück Neu Original Auf Lager
12954269
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
G2R1000MT17J Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
G2R™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 2mA
Vgs (Max)
+20V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
139 pF @ 1000 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
54W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263-7
Paket / Koffer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basis-Produktnummer
G2R1000
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
1242-G2R1000MT17J
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SD213DE TO-72 4L
HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
SI7317DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
PMPB08R4VPX
MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
