Hersteller Produktnummer:
IRLI620G
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRLI620G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 4A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12910766
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Menge
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IRLI620G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 2.4A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
360 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
IRLI620
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRLI620G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RCX081N20
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
147
TEILNUMMER
RCX081N20-DG
Einheitspreis
0.38
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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