Hersteller Produktnummer:
IRL640PBF
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRL640PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
5642 Stück Neu Original Auf Lager
12910784
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IRL640PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRL640
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRL640PBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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