IRL620PBF-BE3
Hersteller Produktnummer:

IRL620PBF-BE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRL620PBF-BE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

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IRL620PBF-BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 3.1A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
360 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRL620

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
742-IRL620PBF-BE3

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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