Hersteller Produktnummer:
R8001CND3FRATL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R8001CND3FRATL-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 1A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
2437 Stück Neu Original Auf Lager
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R8001CND3FRATL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.7Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
60 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
36W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
R8001
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
846-R8001CND3FRATLCT
846-R8001CND3FRATLDKR
846-R8001CND3FRATLTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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