IRFU1N60APBF
Hersteller Produktnummer:

IRFU1N60APBF

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRFU1N60APBF-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-251AA

Inventar:

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IRFU1N60APBF Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 840mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
229 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
36W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251AA
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IRFU1

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
75
Andere Namen
*IRFU1N60APBF
IRFU1N60APBF-DG
742-IRFU1N60APBF

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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