Hersteller Produktnummer:
IRFSL9N60A
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRFSL9N60A-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262-3
Inventar:
12909882
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Menge
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IRFSL9N60A Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IRFSL9
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRFSL9N60A
Q1383518
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
AOW11N60
HERSTELLER
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
773
TEILNUMMER
AOW11N60-DG
Einheitspreis
0.82
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRFSL9N60APBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
900
TEILNUMMER
IRFSL9N60APBF-DG
Einheitspreis
1.21
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
STD5NM60-1
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
77
TEILNUMMER
STD5NM60-1-DG
Einheitspreis
1.09
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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