Hersteller Produktnummer:
AOW11N60
Product Overview
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Teilenummer:
AOW11N60-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 11A TO262
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 272W (Tc) Through Hole TO-262
Inventar:
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12848212
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AOW11N60 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1990 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
272W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
AOW11
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
785-1426-5
5202-AOW11N60
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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