IRFR1N60APBF-BE3
Hersteller Produktnummer:

IRFR1N60APBF-BE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRFR1N60APBF-BE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

2995 Stück Neu Original Auf Lager
12945885
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IRFR1N60APBF-BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 840mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
229 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
36W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IRFR1

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRFR1N60APBF-BE3
HTML-Datenblatt
IRFR1N60APBF-BE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
75
Andere Namen
742-IRFR1N60APBF-BE3

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SI1411DH-T1-BE3

MOSFET P-CH 150V 420MA SC70-6

stmicroelectronics

STP40NF10L

MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB

vishay-siliconix

IRL620PBF-BE3

MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB

stmicroelectronics

STP16NK65Z

MOSFET N-CH 650V 13A TO220AB