Hersteller Produktnummer:
IRFBE30L
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRFBE30L-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12881584
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Menge
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IRFBE30L Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IRFBE30
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRFBE30L
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFBF20LPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IRFBF20LPBF-DG
Einheitspreis
1.04
ERSATZART
Direct
Teilenummer
IRFBE30LPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
990
TEILNUMMER
IRFBE30LPBF-DG
Einheitspreis
1.08
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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