IRFBF20LPBF
Hersteller Produktnummer:

IRFBF20LPBF

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRFBF20LPBF-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventar:

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12906291
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IRFBF20LPBF Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
490 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IRFBF20

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRFBF20LPBF
HTML-Datenblatt
IRFBF20LPBF-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
*IRFBF20LPBF

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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