Hersteller Produktnummer:
IRF730BPBF
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRF730BPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 400 V 6A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
962 Stück Neu Original Auf Lager
12843091
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IRF730BPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
400 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
311 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRF730
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
742-IRF730BPBF
IRF730BPBF-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIHP6N40D-BE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
980
TEILNUMMER
SIHP6N40D-BE3-DG
Einheitspreis
0.37
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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